臺積電副總經理張曉強日前透露，2nm制程工藝N2研發順利，目前256Mb SRAM芯片良品率已經可以達到50%，研發目標已經完成80%以上，如果后續研發順利將會能夠按照之前預定的目標在2025年實現量產。

據了解，臺積電2nm制程工藝將會放棄此前的FinFET（鰭式場效應晶體管）轉向GAA（環繞柵極晶體管），這將會使芯片在晶體管密度僅提升10-20%的同時，做到在相同功耗下速度提高10-15%或在相同速度下功耗降低25-30%。再被問及臺積電是否會在日本建設工廠生產先進芯片時，臺積電業務發展高級副總表示“不排除這種可能”，但目前已有大量消息顯示臺積電已經在臺灣竹科基地建立試產生產線，并積極籌劃下一代芯片生產基地建設。

此外，有業內人士稱2nm制程工藝芯片的報價將會直逼2.5萬美元（折合人民幣約18.1萬元），不過對比其在技術上的進步而言價格并不算太過離譜，目前盡管整體半導體行業整體狀態目前略顯低迷，但臺積電仍然保持強勢的發展勢頭。如果臺積電在2nm制程工藝的研發方面發展順利，那么對于三星、英特爾等同行而言恐怕“彎道超車”的希望更加渺茫。

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